単一横モードの観点から比較した順メサと逆メサのブロック層構造
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概要
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高出力半導体レーザの実現においては単一横モードで,且つレーザの断面において光が広範囲に分布していることが望ましい.よく使用されるストライプ型半導体レーザにおいては,ブロック層が光吸収のものや光を吸収しないもの,また,メサ形状が順メサ,逆メサのものがある.本研究では,電流狭窄と光閉込のためにレーザに挿入されたブロック層が吸収性を持つ場合に,この形状が順メサと逆メサの2つの場合において単一横モードの観点からどちらがレーザの高出力化に適しているかを有限差分法を用いて検討した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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