埋め込みpゲートを持つデジタル無線通信用ヘテロFETの開発
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概要
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デジタル無線通信用パワーアンプとして埋め込みp型ゲートを持ち、且つAlGaAs / InGaAs / AlGaAsのヘテロ構造を持った電界効果トランジスタ(p-Gate HFET)を開発した。埋め込みp型ゲートはZnの拡散技術を用いて形成した。ゲート長0.8μm、閾値電圧0Vのp-Gate HFETの特性は、ゲート立ちあがり電圧1.5Vを示し、低オン抵抗である1.6Ωmm、相互コンダクタンス420mS / mmを得た。ゲート幅2mmのデバイスに1.88GHzのナローバンドCDMA信号を入力しパワー特性を評価した所、単一正電源動作の元、隣接チャネル漏洩電力-48.8dBc / 30KHzの時に出力22.1dBm、効率50.4%を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
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中村 光宏
富士通(株)統合通信システム事業部
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中村 光宏
京都大学大学院医学研究科放射線腫瘍学・画像応用治療学
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長谷 伊知郎
ソニー(株)中央研究所
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長谷 伊知郎
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムlsi事業部門 ミックスシグナル事業部
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中村 光宏
静岡大
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阿部 雅美
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムlsi事業部門 ミックスシグナル事業部
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中村 光宏
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムlsi事業部門 ミックスシグナル事業部
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和田 伸一
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムlsi事業部門 ミックスシグナル事業部
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安部 雅美
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムLSI事業部門、ミックスシグナル事業部
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Kawasaki Hidetoshi
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムLSI事業部門、ミックスシグナル事業部
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Kawasaki Hidetoshi
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニーシステムlsi事業部門 ミックスシグナル事業部
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中村 光宏
東京電機大学大学院工学研究科
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