アバランシェ耐量を改善した自動車用パワーMOSFET
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概要
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ツェナーダイオードを内蔵したパワーMOSFETはサージ耐量(アバランシェ耐量)が高く自動車用半導体として適している。パワーMOSFETのオン抵抗低減のためトランジスタ構造を微細化するとチップの周辺部でアパランシェ耐量が低下することが判った。我々はアバランシェ耐量低下の原因を解明するとともに、新しい周辺構造を開発することに成功した。この新しい周辺高造を持つパワーMOSFETではツェナー降伏時のパワー損失がチップ表面で均一化され、アバランシェ耐量が127W, mm2(パルス幅1mS)と理論上限界の耐量を達成することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-21