イオンドーピング法を用いた低温プロセスポリシリコンTFT

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概要

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RFプラズマ源から質量分離を行わずに大面積エリアにイオンを注入する方法(イオンドーピング法)を用いて,350℃以下の低温でイオンビーム照射による結晶化現象が起こることを見いだした.りんイオン(またはボロンイオン)とプロトンを同時にポリシリコン膜に注入すると,プロトンのドーズ量が4×10^<15>ion/cm^2を越える領域で,注入によって形成された非晶質層が再び多結晶化した(結晶粒径50nm).この現象がプロトンビーム照射量に依存することから,プロトンビームがこの結晶化に寄与していることがわかった.この技術(自己活性化技術:Self-Activation Technique)を用いることにより不純物注入後の活性化アニール工程を不要にでき,作製したポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT)において(L/W=15/5μm),nチャネルで25cm^2/V・s,pチャネルで14cm^2/V・sの移動度が得られた.
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-05-25

著者

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