レーザアニール法を用いた薄膜トランジスタ作製技術
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概要
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レーザ結晶化を用いた高性能多結晶薄膜トランジスタ(poly-SiTFT)の低温作製プロセスについて議論した.TFTの特性は結晶化よりむしろpoly-Siの水素化やSiO_2ゲート絶縁膜に形成プロセスに大きく依存することを示した.特に低ダメージのゲート絶縁膜形成は低温プロセスにとって重要であり,リモートプラズマCVD法は大面積にわたって良好なSiO_2/Si界面の形成が期待できることを示した.
- 1993-05-25