CMOS水晶発振回路の負性抵抗ならびに等価容量のレベル特性の解析法
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概要
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電子機器のクロック源として広く用いられているCMOS水晶発振回路の2端子能動インピーダンスのレベル特性の解析法を検討した.その結果はCMOS自体のアドミタンスパラメータのレベル特性を小信号から定常発振大信号にわたって測定しておくことにより,回路定数の任意の値に対する負性抵抗ならびに等価容量の値をCMOS-IC自体の特性と関連づけて解析できることが示された.ある仕様の水晶振動子を用いた場合にどのような周波数まで十分な小信号負性抵抗を有して確実に発振するか,定常発振時の振動子電流がいくらになるかの検討のほかに,発振の起動特性の検討などにも役立つ.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-25
著者
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