RFマグネトロンスパッタ法によるZnO薄膜のSiO_2/Si基板上への作製
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概要
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本研究では,RFマグネトロンスパッタ法を用いてZnO薄膜の作製を行い,作製時における基板温度が結晶性および光伝搬特性,膜抵抗率に及ぼす影響について検討した.本方法で作製したZnO薄膜は良好な結晶性を示し,c軸配向の鋭さを表すX線ロッキング曲線の標準偏差角度は1゜以下のものが得られた.また,基板温度の上昇に伴う結晶性の向上によって膜抵抗率は10^7から10^2Ωcmと広範囲にわたって変化した.光伝搬損については1.78dB/cm(TE_0モード)程度のものが得られ,良好な光伝搬特性のZnO膜を得るには,膜の配向性ばかりでなく膜の密度についても考慮する必要があることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-02-25
著者
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