地球温暖化防止対策ガスC_5F_8を用いた高密度プラズマによる酸化膜エッチング特性

概要

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半導体製造業界においてCF_4, C_2F_6, C_3F_8, C_4F_8, CHF_3, SF_6, NF_3などのパーフルオロコンパウンド(PFCs)ガスがドライエッチング工程及び化学気相成長法による成膜工程などの半導体製造プロセスで使用されている.これらのPFCガスは温室効果ガスであり, 大気寿命が長く, かつ地球温暖化係数(GWP:Global Warming Potential)が二酸化炭素(CO_2)に比べて非常に大きい.したがってPFCの使用量, 排出量削減への対応が求められており, PFC代替ガスを用いたプロセス開発が急務となっている.そこで我々は, 地球温暖化防止対策ガスの一つであるC_5F_8ガスを用いて低ガス圧力, 高密度プラズマを生成し, 酸化膜のエッチング特性を従来のガスと比較することで, PFC代替ガスとして有望かどうかを調べた.その結果, エッチングの重要な特性である対レジスト選択比において従来のガスより良好な特性が得られた.更にコンタクトホール形状, コンタクト抵抗値などの電気特性においても従来と遜色ない特性が得られることがわかった.
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-12-25