ダイヤモンドの結晶成長とその半導体デバイスへの応用 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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最新の実験結果を用いて, パワーデバイスの観点で, ダイヤモンドデバイスのオン抵抗を他のワイドバンドギャップ半導体デバイスと比較した。オン抵抗の動作温度依存性から, 多数キャリヤデバイスとしてのダイヤモンドデバイスの優位性を明らかにした。更にこのような優れた特性をもったダイヤモンドデバイスの実現に, 結晶成長の進歩がいかにかかわってきたかについて, ダイヤモンドトランジスダの開発の歴史を振り返った。そして, ダイヤモンドの気相合成法の最近の知見であるオフ角基板を用いたステップフロー成長を紹介した。ステッブフロー成長により, 表面モルフォロジーが改善されただけではなく, ドーピングの再現性が向上し, この結晶成長技術の進歩により更に新しいデバイス作製の可能性が生まれた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25