SiCにおける素子形成プロセス技術の現状 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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ワイドバンドギャップ, 高絶縁破壊電界, 高熱伝導性など半導体として優れ, た性質をもつシリコンカーバイド(SiC)のデバイスプロセス技術, 特にイオン注入, 電極形成およびエッチングについて最近の状況をまとめた。Siと異なりSiCではイオン注入により形成した欠陥の回復が難しく注入ドーズ量が制限される。そのため高濃度のドーピングに支障を来し, pn接合の順方向特性に課題が残る。n型のSiCに対してはNiが良好なオーミック電極になっているが, p型に対しては接触抵抗が高く改善の余地がある。ドライエッチングについてはふっ化物系のガスを用い, 条件を選べばμmレベルのデバイス形成が可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25