ハイドライドVPEによる厚膜GaN結晶の成長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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GaN系材料を用いた青色半導体レーザの研究が盛んに進められている。現在はサファイアやSiC基板を用いてデバイス構造が作製されているが, GaNバルク結晶を用いることができれば, 結晶性やデバイス特性の改善に寄与することが期待される。ハイドライドVPEは, 成長速度が大きく, 数十〜数百μmの厚さの成長が容易に実現できるため, この目的に適した成長手法である。ここでは, ハイドライドVPEを用いてサファイア基板上に低欠陥密度の厚膜GaNを成長する手法, 更にこれを基板としてデバイス構造を作製する試みについて述べる。
- 1998-01-25