ZnS系量子井戸構造における局在励起子分子と光学利得 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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紫外波長領域をカバーすることが可能な半導体光デバイス材料として, ワイドギャップII-VI族化合物半導体に属する硫化亜鉛(ZnS)に着目し, ZnS薄膜およびZnS系量子井戸構造の励起子系光物性について紹介する。ZnSはワイドギャップ半導体の中でも比較的大きな励起子結合エネルギーを有するため, その光学的性質において顕著な励起子効果が期待される半導体材料である。本論文では, 高密度励起子系に特徴的な現象の一つである励起子分子の存在に注目し, ZnS薄膜およびZnS系量子井戸内に形成される励起子分子の基礎物性を明らかにする。特に, 量子井戸内に形成される低次元系励起子分子に対する量子閉込め効果および局在化の効果について, 最近の我々の実験的研究をもとに議論する。更に, 低次元系励起子分子のふく射再結合過程に基づく光学利得の生成機構について議論する。
- 1998-01-25
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