プラズマCVD法によるシリコン酸化膜とシリコン酸素窒化膜の生成
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概要
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プラズマCVD法によりSiO_XN_Y膜を生成した.5%SiH_4 (95%N_2バランス)ガスに酸素ガスを加えた混合ガスにより膜生成したが,酸素元素と窒素元素の電子親和力の違いが生成機構に関係していると考えられる実験結果が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-25
著者
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