銅ブランケットCVDによるビア埋め込み及び配線形成技術
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概要
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微細多層配線におけるビア埋め込みと低抵抗配線層の同時形成が可能であるCuブランケットCVDについて、液体原料の直接流量制御系を用い、その基本的な堆積特性を明らかにし,さらに200℃以下の低温の堆積温度領域でディープサブミクロンの良好なビア埋め込みが可能であることを示した。また堆積した銅膜のドライ加工による加工特性を示す。
- 1994-01-28
微細多層配線におけるビア埋め込みと低抵抗配線層の同時形成が可能であるCuブランケットCVDについて、液体原料の直接流量制御系を用い、その基本的な堆積特性を明らかにし,さらに200℃以下の低温の堆積温度領域でディープサブミクロンの良好なビア埋め込みが可能であることを示した。また堆積した銅膜のドライ加工による加工特性を示す。