不純物注入によるWSix単層ゲート電極の仕事関数制御

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概要

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• タングステンシリサイド(WSix)を単層でゲート電極に用い、不純物をドープする事により、その仕事関数を制御する検討を行った。不純物をWSixにイオン注入にて導入し、仕事関数のドーズ依存性を調べ、5e15 cm-2のドーズでSimid-gap付近で+-0.3V程度仕事関数が制御出来る事を確認した。この手法を用いることにより、チャネルの不純物によらないMOSトランジスターのVth制御が可能となる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-07-24

著者

• 小松 裕司

  ソニーセミコンダクカンパニー超lsi研究所

• 小松 祐司

  ソニーセミコンダクタカンパニー超lsi研究所

• 宮沢 芳宏

  ソニーセミコンダクカンパニー超LSI研究所

• 宮沢 芳宏

  ソニーセミコンダクタカンパニー超lsi研究所

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