BOX貫通コンタクトによる高耐圧SOI-ICの基板電位固定

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
高耐圧SOI-ICにおいて、SOI基板の埋め込み酸化膜 (BOX) 貫通コンタクトを形成し、チップ表面から支持基板の電位を固定する方法を検討した。従来のICのプロセスにて、大面積トレンチ内にBOX貫通コンタクトを形成する構造を実現した。ウェハ裏面-表面アルミパッド間は、基板抵抗成分を入れて2〜9kΩで接続されていることが確認された。ICの評価としては、高圧出力動作時およびCチャージ試験時のチップ裏面電位測定を行い、従来構造に比べて基板電位変動を抑制できること、基板に蓄積されたチャージは急峻に放電されることが確認され、チップ表面GND電極とSOI支持基板は、BOX貫通コンタクトにより十分な導適状態を得ることが実証された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-03-08

著者

関連論文

スポンサーリンク