熱的な酸窒化およびRPNにより窒化されたシリコン酸化膜の電気特性と構造

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概要

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• 熱酸窒化およびRPN(Remote Plasma Nitridation)を行なったシリコン酸化膜の電気特性と構造に関する研究結果をまとめた.電気特性においては, 熱酸窒化, RPNそれぞれ以下に示す課題が明らかになった.熱酸窒化においては, 窒化温度の増加に伴い+Vgの正孔捕獲量は増加した.RPNにおいては, -Vgの電子捕獲が増加した.各種構造解析の結果, 熱酸窒化においては高温処理によって酸素欠損が形成され, 正孔捕獲サイトとして働くことが明らかになった.HやOH基の離脱やSi-O-Si角の変化は見られなかった.RPNにおいては, 酸窒化膜形成に寄与しない窒素の存在を示唆する結果が得られた.その窒素がg=2.0093を持つスピンを有し, 電子の捕獲サイトとして働く仮説を示した.

• 2001-12-13

著者

• 小竹 義則

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 プロセス開発センター

• 松尾 一郎

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 プロセス開発センター

• 荒井 雅利

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 プロセス開発センター

• 橋爪 貴彦

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 プロセス開発センター

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