CVDSiOC/SiC膜とCopperのインテグレーション技術(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術)

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概要

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• CVD法を用いたカーボンドープ酸化膜は成膜手法を最適化してメチル基終端を効率よく行なう事により非常に安定で吸湿性も少なくエッチング等でのダメージ層の少ない低誘電率膜を得る事が出来る。メチル基終端による膜の安定化はエッチングや積層の密着性とのトレードオフとなるが、WIDE GAP RIEやプラズマ表面改質技術によりそれらの両立が可能となった。100nm以降に必須となる最先端バリヤー技術としてMO CVD TiSiNを開発し、その適用をLow-k CVD SiOC/SiCに試みたが良好な電気特性が確認された。SiOC膜の直接CMP等を用いたインテグレーションでの欠陷制御の事例を紹介し、CVD SiOCと銅配線技術が量産技術として確立されつつある事を示す。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-11-09

著者

• 大和田 伸郎

  アプライドマテリアルズジャパン株式会社テクノロジー

• 有賀 美知雄

  アプライドマテリアルズ・ジャパン株式会社成田テクノロジーセンター

• 堀岡 啓治

  アプライドマテリアルズ・ジャパン株式会社成田テクノロジーセンター

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