低エネルギコスト電子デバイスとしての多結晶シリコン薄膜トランジスタの可能性
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概要
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資源の有効利用と製造エネルギの節減のため,Si MOS FETに換えて多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)を集積回路用電子デバイスとして用いる検討を開始することを提案する.その根拠は以下の3点に要約される.(1)今までのpoly-Si TFTの研究開発により,Si MOS FETの5分の1程度以上の移動度を示すnチャネルおよびpチャネルのpoly-Si TFTが実現されている.(2)Si結晶粒の位置制御技術を用い,Si結晶粒にTFTを作りこむsingle-grain TFTの可能性が示された.これによりスケーリングによるpoly-Si TFTの性能向上に見通しが得られるようになった.(3)Si MOS FETの製造に要するエネルギの中で,Si基板の製造に要するエネルギは,1000kWh/m^2(基板厚さ0.7mm)程度であり,突出している.この値は,ガラス基板の製造エネルギの100倍以上に相当する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-12
著者
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