低エネルギーLSI向け極薄膜完全空乏型CMOS/SIMOXデバイス技術

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概要

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CMOS/SOI (Silicon on Insulator)は低消費電力デバイスとしての期待が高い。特に完全空乏型(Fully Depleted; FD)デバイスでは,理想的なサブスレッショルド勾配を実現できるため,より一層の低消費電力化が可能となる。本稿では,FDデバイスの課題である,基板浮遊効果の抑制とソース・ドレイン部の寄生抵抗の低減を取り上げて,これらの課題を解決する技術について述べた。これら技術を導入したLSI試作の結果を述べ,FDデバイスがLSI適用可能なレベルであることを示した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-06-25

著者

佐藤康博
Ntt通信エネルギー研究所

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