水素プラズマ処理のデバイス特性への影響の考察
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概要
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超LSIドライ洗浄を目的に水素プラズマのMOSデバイスの電気特性への影響を調べた。バレル形装置により水素プラズマを発生させた。p^+基板では水素がBを電気的に不活性化していることを、またpMOSテストデバイスでは、長時間の水素プラズマ処理により、拡散抵抗の増大、アルミニウムとの接触抵抗の増大、pn接合の拡散電位の減少などを見いだした。MOSFETのコンダクタンスの低下も見られたが、これはプラズマからの高エネルギー光線による影響と考えられる。光を遮ぎった短時間の水素プラズマ表面処理はほとんどデバイス特性には影響しないと考えられる。
- 1994-07-25