アクセスタイム2ns BiCMOS型RAM
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概要
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ECLインターフェイスのG,A付き40kb、SRAMのテストチップを開発した。アクセスタイムは2ns、消費電力は1、6Wである。高速化及び低消費電力化を達成する為に、1)デコード回路の最適化、2)新型ECL-CMOSレべル変換回路、3)内部降圧回路、4)バイポーラセンス回路、5)0.6μmのBiCMOSプロセス等の採用を行った。また高抵抗負荷型4TrMOSメモリセル(3.2μm×5.8μm)を採用することにより、40kbのRAMマクロサイズとして1.2mm×1.9mmを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-27