低電力LSI技術動向と展望 : 携帯機器用低電力LSI技術

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概要

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• 本論文は携帯機器用低電力LSI技術動向と展望を概説する。その中で、我々は、電池一本(1V相当)か二本(2V相当)の低い給電電圧でも高速動作が可能な低電力LSI技術を開発した。高周波用には、バイポーラLSI技術による電流折り返し方式変復調用ミキサ回路で2V動作を可能にし、消費電力を従来比で1/2〜1/3に低減できた。ベースバンド処理用には、2水準のしきい値を組にしたMTCMOS(Multi-Threshold CMOS)回路構成を提案し、高しきい値だけで構成する従来の1V動作CMOS回路の速度限界を打破し、3倍高速化できた。同等速度を2VCMOSで実現する場合に比べると、消費電力を1/4に低減できる。

• 1995-06-22

著者

• 堀口 勝治

  Ntt Lsi研

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