有機シラン/過酸化水素反応による低誘電率自己平坦化CVDプロセス
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概要
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有機シランと過酸化水素のCVD反応を利用した低誘電率自己平坦化CVDプロセスを開発した。本プロセスにより形成されるシリコン酸化膜は、膜中にSi-CH_3結合、Si-H結合を含有することにより比誘電率2.75を実現することができる。また、Si-CH_3結合を膜中に持つSOG法で形成されたMSQ膜に比較して、ビア形成によって生じる脱離水分量が半減されており、その結果、サブクォーターミクロンテストデバイスにおいて良好なビア抵抗を得ることができた。さらには、本プロセスの現状プロセスへの適用はプロセス変更を伴わない容易なものであるため、他の低誘電率層間膜プロセスで見られるようなコスト上昇を伴わない適用が可能であり、サブクォーターミクロン世代の量産技術として有望である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-23