チャネルアモルファス化による浅いカウンタドープ層を有するpMOSデバイスの特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
pMOSの浅いBチャネルドープ膚形成のための技術であるチャネルアモルファス化(CP)について述べる. CPにより, イオン注入時のチャネリングだけではなく, アニール時の増速拡散も抑えられるために, 浅いBドープ層を形成することができる. このため, CPにより, pMOSの短チャネル効果が抑えられる. また, CPによリゲート酸化膜の品質が向上する. これはもとのa/c界面付近にできる結晶欠陥のゲッタリング効果によると考えられる. 一方, S/Dのリーク電流は増加するが, この問題は, アモルファス化の深さを深くするか, S/Dの接合深さを浅くすることで解決可能と考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-25
著者
関連論文
- チャネルアモルファス化による浅いカウンタドープ層を有するpMOSデバイスの特性
- チャネルアモルファス化による浅いカウンタドープ層を有するpMOSデバイスの特性
- 浅い不純物層形成技術-プリアモルファス化技術の現状-