運動論的観点からの準弾道電子輸送の理論的考察(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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• ナノスケールの極微細半導体構造における室温での準弾道輸送について、散逸を伴った散乱の影響を中心に理論的に検討を行った。単純なn^+-n-n^+構造のもとでの電子速度分布関数を、古典的ボルツマン輸送方程式を解くことによりあからさまに求めた。ボルツマン輸送方程式から得られる電子に対するポテンシャル障壁近傍での速度分布関数は、弾道輸送を仮定したときのものとは異なり、無視し得ない負の速度成分が散乱により存在することを見出した。ナノスケールの極微細構造においても、散乱効果は無視することができないことを示す。

• 2004-09-21

著者

• 佐野 伸行

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

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