[特別招待論文]微細MOSトランジスタの開発動向と課題(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

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概要

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MOSトランジスタの動向や課題をまとめ,現状の性能や今後に向けて検討中の結果を紹介する。90-65nmノードに向けては、従来の材料の改良と細心の注意を払ってスケーリングを行なうことで、期待される高集積化と高性能化を実現できる。しかし、65-45nmノード以降では加工ばらつきの増大や微細ホール形成の難しさなどにより高集積化が難しくなることに加え、高性能化に関してもスケーリングに頼るだけでなく高誘電率ゲート絶縁膜や歪Siなどの新しい材料、効果による性能向上が必要になる。新技術による高性能化の必要性の度合いがアプリケーションによって異なるため、従来の高集積化と高性能化の両方が得られたスケーリングによる世代交代と違って、各種新技術を有したトランジスタが市場に出る時期はアプリケーションに左右されていく。
2003-08-15

著者

杉井寿博
富士通(株)

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