FD-TD法による空胴解析でのQ値の計算法と曲面導体壁の取扱い
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概要
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本論文は,高Q空胴に対して有用と考えられるQ値の計算法を提案している.この方法は,正弦波励振による空胴内電磁界の振幅増加過程において,励振入力エネルギーや蓄積エネルギー等からQ値を求めるものである.この方法を開口の無い方形空胴に適用し,1%程度の誤差でQ値が求められた.また,本論文は,開口の無い円筒空胴を例にとり,空胴内重磁界分布と壁面損により壁面処理を検討している.円筒壁面の階段近似では,方位角方向に磁界のあるTM_<010>,TM_<011>モードにおいて,電磁界が壁面付近で大きく乱れると共に,Q値が21〜32%高い値を示し,壁面損が小さく計算された.積分路を境界面に適合するように変形して壁面処理をするCP法を用いた解析では,電磁界,壁面損共に精度よく計算された,
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-25
著者
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