BGO結晶を用いた光電圧センサの旋光性の影響
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概要
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BGO(Bi_<12>GeO_<20>)結晶は旋光性があり,これを用いた縦形光電圧センサでは旋光の影響をうけ,旋光角Фが大きくなるセンサ感度|m|が低下する.ここでは,縦形光電圧センサの感度|m|と旋光角Фの関係について検討し,理論式を導いた.また,結晶の厚みをかえることによって旋光角Фを約20度から80度の範囲で変化させ,光電圧センサ感度|m|を実測し計算結果と比較した.この結果,理論式による計算値と実測結果とがよく一致することを確認した.次に,旋光の存在する条件でその影響を回避しながら高感度化を図る方法を確立し,その条件を求め実験で確認した.更に,これらの検討結果をもとに,光センサ側で光学測定量をベクトル的に直接加算する条件を求め,3相回路の対地電圧を光学的に3相分加算した.この結果,零相電圧が高精度で検出できることを実験で確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-25
著者
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