機能層を転写した薄膜型面発光レーザ
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概要
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面発光レーザを電子デバイス等とハイブリッド集積化する上で, DBRミラーおよび活性層から成る機能層のみを成長基板を除去して他の基板に転写する技術は有効である.その基礎検討として, AIN基板上に転写した830nm帯の薄膜型面発光レーザを試作したところ, 発振しきい値が基板除去前の面発光レーザと遜色のない3mAという値が得られた.また, 注入電流に対する発振波長の変化を測定して, 薄膜型面発光レーザの熱抵抗について考察した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-23
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