凹形導体曲面のエッジによる散乱電磁界の物理光学法を用いた一様近似解析
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概要
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曲率半径が位置の関数として緩やかに変化する凹形導体曲面のエッジ近傍に, 線波源から放射される円筒波が入射する場合の散乱電磁界を, 物理光学近似を用いて解析する方法について検討を行った.物理光学電流を用いて表される散乱界に関する積分を近似的に解析することにより, 幾何光学波とエッジ回折波の重畳による一様漸近解を導出した.エッジ回折波を構成する回折係数は, 反射境界(RB)側と影境界(SB)側の式が対称形をなしており, フレネル関数を用いて表されている.フレネル関数の引数には, RBおよびSB上において連続な散乱界が得られるように, 回折波の波面の曲率半径および火線位置, または入射波の波面の曲率半径, に関する情報を含んだ新たな表示式を用いている.一様漸近解の有効性は, 散乱界に関する積分を直接数値積分することにより求めた基準解およびウィーナー・ホッフ法より得られる厳密解と比較することによる数値的に明らかにした.また, 他で発表されている物理光学近似を用いた解析結果との比較検討を行い, 本論文における結果との間に生じる差異の原因について考察を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-25
著者
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