レーザーアブレーションによる鉄および鉄シリサイド薄膜の作製
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概要
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レーザーアブレーションを鉄および鉄シリサイド薄膜の作製に応用した。純度99.999%、99.99%および99.7%の鉄ターゲットを用いた場合、シリコンおよび石英基板上に作製した鉄薄膜は、0.001mol/l濃度のNaCl水溶液中で耐食性を示した。ターゲット純度の低い鋳鉄を用いた場合、レーザーアブレーションによって混入した粒子が、錆び発生の原因となった。熱せられたシリコン基板上に鉄を堆積させると、半導体特性を示すβ-FeSi_2薄膜が形成できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-16
著者
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