へき開面上成長窓形高出力単一ストライプAlGaAs半導体レーザ

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
光出力50mW以上の高出力単一ストライプAlGaAs半導体レーザは,光ディスク装置への高速書込み,SHG光源の高出力化のために重要である.我々は,へき開面上への結晶成長による窓(WGF : window grown on facets)構造を有する新規窓形レーザ(WGFレーザ)を開発した.830nm WGFレーザでは50℃,100mW条件で10000時間以上の高信頼性が達成でき,更に780nm WGFレーザでは60℃,70mW条件で4000時間以上の高信頼性が達成できた.更に,WGFレーザの窓構造の構造パラメータ(窓層のAl比)が窓効果に及ぼす影響を調べ,そのAl比がレーザのクラッド層のAl比よりも高い場合に明確な窓効果が得られることを示した.その実験結果を説明するために,レーザの活性層から窓層へのキャリヤリークに基づく窓効果の低減モデルを考案,計算による検討を行った.
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-04-25

著者

関連論文

スポンサーリンク