GaNナノコラムの作製と量子ディスク構造への応用
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概要
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RF-MBE法を用いて柱状GaN微細構造(GaNナノコラム)を(0001)サファイア基板上に自己形成した。GaNナノコラムの自己形成のためには、AINバッファの積層時間とGaN成長時のV/III比の制御が重要であることがわかった。V/III比を制御することにより得られたGaNナノコラムの最小直径は41nmであった。この自己形成技術を利用して平均直径46nmのGaNナノコラムの上部に、10周期のGaN (6nm)/Al_<0.18>Ga_<0.82>N (9nm)多重量子ディスク構造を作製した。量子サイズ効果によるPLピークの短波長化が確認され、GaN量子ディスクが形成されたと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-17