チャープトグレーティングDFBアンプによる光スイッチングとメモリ

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概要

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• DFB型半導体光アンプの双安定動作におけるチャープトグレーティングの効果について論じる。シミュレーションによれば、グレーティング周期に0.2%の線形的な変化を加えるだけでデバイスは0.1mW以下のスイッチング光パワーで12.5GHzのスペクトル範囲に渡り、同形のヒステリシスを見せるようになることがわかった。それより狭いスペクトル範囲でよい場合には、30dB以上の利得や、マイクロワット以下のスイッチングパワーの得られることが予測された。以上の特性改善が光メモリや光スイッチングにどのように適用できるかについても論じる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-01-20

著者

• アグラワル ゴビンド

  The Institute Of Optics University Of Rochester

• アグラワル ゴビンド・p

  The Institute Of Optics University Of Rochester

• メイワー ドリュー・N

  東京大学工学系研究科電子工学専攻

• 中野 義昭

  東京大学光学系研究科電子光学専攻

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