段差形状基板上のMOVPE成長
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概要
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MOVPE法による段差形状基板上のノンプレーナAlGaInP層成長において、段差斜面に(411)A付近の微傾斜面ファセットが現れる成長形状について調べた。段差基板形状のばらつきに関係なく、結晶成長によって同じ面方位のファセットが再現性よく現れ、又成長条件でも、その面方位は変化しないことがわかった。このファセット形成機構を、段差斜面周辺の面を含んだ系で考えた結果、定性的にファセットの面方位が微傾斜面になることなどが説明できた。この安定な(411)A付近の微傾斜面ファセットを用いることと、ドーピングの面方位依存性を利用することによって良好な特性のレーザ素子を作製した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-21