ゲート酸化膜リーク解析手法
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概要
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最近、半導体集積回路のゲート酸化膜の信頼性向上および故障解析が重要となってきている。我々は故障原因を迅速に工程内へフィードバックするために、ゲート酸化膜の効率的な解析手法を開発した。複数個同時に、精度良くエッチング処理した後、平面的に走査型電子顕微鏡(SEM)で観察する手法により、効率的にゲート酸化膜リークモードを解析した。また、透過型電子顕微鏡(TEM)で観察する手法によりゲート酸化膜リーク箇所にシリコン(Si)基版の転位が観察された。この報告ではこれらの解析手法と結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-10