バンプめっき用ポジ型フォトレジストの高解像化および耐めっき性の改良
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概要
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表面実装技術に使用する厚膜ポジ型フォトレジストのノボラック樹脂の分子量による耐めっき性の向上と、現像方法によるプロフィルの改良を検討した。ノボラック樹脂の分子量を高くすることによって、従来、60℃の、めっき温度でレジストに発生したクラックが、70℃でも発生することなく、レジストのパタ-ン通りのめっきが可能となった。パドル現像において、現像途中で現像液を繰り返し数回取り替えることにより、所定の時間より現像時間を30%短縮でき、さらに、垂直な側壁を持ったレジストプロフイルを得ることができた。これらを改良することによって、厚さ20μmで20μm角のAuバンプの形成が可能になり、さらにそのめっき時間を半分にすることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20