一次元(金属-ベンゾキノンジオキシマート)錯体の構造と電子物性
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概要
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白金-ベンゾキノンジオキシマート錯体[Pt(bqd)_2]の薄膜の電気抵抗率とX線回折を研究した。配向した薄膜の抵抗率は室温で2×10^3Ωcmであるが、400Kまで温度の上昇に伴って減少する。室温に戻すと薄膜の電気抵抗率は2×10^2Ωcmに減少した。高圧下において軌道放射光を用いてPt(bqd)_2の電気抵抗率及びX線回折を研究した。Pt(bqd)_2は2.4GPa付近で抵抗極小を示す。また圧力誘起半導体-金属転移を見出した。約3.8GPaで新しい回折線が出現する。Pt(bqd)_2の電気抵抗の異常は高圧下での構造異常と密接に関係している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-09
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