量子効果シミュレーションにおける表面電子密度の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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MOSFETのDensity Gradient Modelにおける境界条件としての表面電子密度は定数として非常に小さい値とされているが、実際はゲート電圧の印加とともにある程度まで大きくなる。この表面電子密度のモデル化を行ない、その表面電荷密度が与える電気的特性を検討した。結果として、境界条件として上記の表面電子密度の違いは電気的特性には、ほとんど影響しないことがわかり定数として非常に小さい定数値でもよいことを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-20
著者
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