高精度TVDスキームを用いたデバイスシュミレーションの試み
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概要
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半導体デバイスの微細化に伴い,運動量,エネルギー方程式等の非平衡状態下での輸送現象を考慮に入れたシュミレーションの必要性が増している.この基礎式はベクトル場を含む双曲型の偏微分方程式(Euler方程式)として与えられる.それは流体力学モデルと呼ばれる.我々は現在,圧縮性数値流体解析の分野で開発された高精度TVDスキームを用いてフルスペックの流体力学モデルに基づくデバイスシュミレータの開発を行っている.そこでまずそのスカラー版として移流拡散モデルを擬フェルミポテンシャルの勾配を用いた1階の双曲型に変換した基礎式をTVDスキームで解析した.本報告では,基本的な問題であるダイオード,MESFETの解析を行った.解析結果は良好である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-14