低インサーションロスPhoto MOSリレーの開発

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概要

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近年、制御システムや電子機器の分野において多機能化、小型軽量化、省電力化長寿命高信頼性化の要求は拡大の一途をたどっている。しかし半導体リレーは、導通、非導通状態においても半導体素子が本来持っている性質を反映するため、メカリレーの様な優れたアイソレーション・インサーションロス特性を実現するのは非常に困難である。そこで高速パルス切替え用途等の半導体リレー化への要望に対応するべく出力容量を低くしたまま出力抵抗を半分以下に抵減できる新規なDMOSFETを考案し、これをリレーの出力側素子に用いて低インサーションロスフォトMOSリレーを開発した。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
1993-12-17

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