電流制限機能付光MOSリレー
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概要
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光MOS(metal-oxide-semiconductor)リレーが使用されている回路内に於いて最大定格以上のサージ電流が発生した場合、数百mA以上の電流をカットする機能が求められている。この機能を得るためにNPNトランジスタと拡散抵抗から構成される電流制限回路を、誘電体分離技術を用いて受光素子に内蔵した。この受光素子を用いることで、電流制限機能を付加した光MOSリレーを開発し、電流制限値222mAを実現した。また、電流制限機能付光MOSリレーのサージに対する破壊耐量を把握し、その有効性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-17
著者
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