バックチャネル効果削減によるチャネル保護膜型TFTの信頼性向上効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• アモルファスシリコン/チャネル保護膜-界面処理の解析によりa-Si上に薄SiOxNyを成膜する事で裏TFT閾値が大きく移動しTFTのバックチャネル起因リークを抑制出来る事が初めて判明した。TEM観察、ホール伝導性測定、裏TFT電流電圧特性のVd依存性により、SiOxNy成膜初期状態において電荷が形成されていると思われる。薄SiOxNy処理はリーク改善によってVglマージンを改善するのみならず、基準電圧の変化によりVghマージンシフトも改善可能である。

• 1998-10-22

著者

• 宮本 隆志

  日本アイ・ビー・エム液晶技術開発

• 辻村 隆俊

  日本アイ・ビー・エム液晶技術開発

• 徳田 知也

  ディスプレイ・テクノロジーア***ロセス技術

• Frank Libsch

  IBM Watson Research Center, IBM Corporation

• Libsch Frank

  Ibm Watson Research Center Ibm Corporation

• Frank Libsch

  Ibm Watson Research Center Ibm Corporation

関連論文

• バックチャネル効果削減によるチャネル保護膜型TFTの信頼性向上効果
• バックチャネル効果削減によるチャネル保護膜型TFTの信頼性向上効果
• Asia Display'98(IDRC'98)TFT関連セッション報告
• Asia Display'98 (IDRC'98) TFT関連セッション報告

スポンサーリンク