セルテスターによるTFT/LCDの特性評価

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概要

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TFT/LCDを完成したセル状態で、一画素単位のTFT特性、画素容量を測定するテスターを開発した。測定方法は, ドライバーの階調表示入力端子から、画素内の電荷を読み出す。そのとき、電荷の時間変化を測定することによって,高精度にドレイン本流が測定される。液晶の入ったセルのId-Vg測定値は従来の測定法と一致した。また、電荷の電圧変化を測定する事によって、容量が得られ、実セルの液晶容量と、 LCRメータで測定された容量とが一致した。ゲートソース間の寄生容量CgsをTFTオン状態で直接測定する方法を考案し、電圧依存性の容量のふるまいについて考察した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-02-20

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