完全分離閉じ込め構造による980 nm-InGaAs/AlGaAsレーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高出力の980 nm LDは, 光通信系における低ノイズEDFA用励起光源として期待されており, 開発が進められている。LDの高出力化, 高信頼性のためには耐光学損傷性(耐COD特性)を向上することが課題とされているが, 今回我々は完全分離閉じ込め構造の採用によるLDの高出力化を試みたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
室 清文
三井化学(株)電子情報材料研究所
-
藤本 毅
エムシー・ファイテル
-
大久保 敦
三井化学(株)電子情報材料研究所
-
大久保 敦
三井石油化学工業株式会社機能材研究所
-
山田 義和
三井石油化学工業株式会社機能材研究所
-
藤本 毅
三井石油化学工業株式会社機能材研究所
-
山田 由美
三井石油化学工業株式会社機能材研究所
-
室 清文
三井石油化学工業株式会社機能材研究所
-
山田 義和
エムシー・ファイテル
-
山田 由美
エムシー・ファイテル
関連論文
- 完全分離閉じ込め構造を用いた分布帰還型半導体レーザーの高出力単一モード動作
- 完全分離閉じ込め構造によるSAS型980nm-InGaAs/AlGaAsレーザ
- 完全分離閉じ込め構造による980 nm-InGaAs/AlGaAsレーザ
- 高輝度・高出力半導体レーザの開発状況
- 高輝度半導体レーザーおよびファイバモジュールの現状 (「次世代レーザー加工」特集号)
- 高輝度半導体レーザーおよびファイバモジュールの現状
- レーザー学会産業賞を受賞して : 高輝度半導体レーザー技術