接合型Siフォトダイオードの低周波雑音
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概要
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抵抗体や半導体など様々な素子の中に1/f揺らぎと呼ばれる現象の存在が広く知られている。しかしその発生メカニズムに関しては未だ充分には解明されていないそれ故に多くの研究者によって、様々な素子の低周波雑音に関する研究が行われているが、接合型フォトダイオードの報告例は比較的少ない。そこで我々は接合型フォトダイオードの低周波領域に着目しその測定を行った。
- 1996-03-11
抵抗体や半導体など様々な素子の中に1/f揺らぎと呼ばれる現象の存在が広く知られている。しかしその発生メカニズムに関しては未だ充分には解明されていないそれ故に多くの研究者によって、様々な素子の低周波雑音に関する研究が行われているが、接合型フォトダイオードの報告例は比較的少ない。そこで我々は接合型フォトダイオードの低周波領域に着目しその測定を行った。