反射型液晶偏光制御素子の設計と試作
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
PSS液晶を用いた液晶偏光制御素子の波長特性測定 (光エレクトロニクス)
-
光波長可変フィルタのための導波路形複合Fabry-Perot共振器の特性と製作プロセスの検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
-
C-3-70 液晶装荷HfO_2マッハ・ツェンダー干渉計形光スイッチのスイッチング動作の観測(光スイッチ,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-3-100 液晶装荷マッハ・ツェンダー干渉計HfO_2導波路の位相変化量の評価(導波路デバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
-
C-3-15 小型導波路形光素子のためのHfO_2導波路(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
-
PSS液晶を用いた液晶偏光制御素子の波長特性測定(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
-
PSS液晶を用いた液晶偏光制御素子の波長特性測定(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
-
B-2-4 深宇宙通信用システムにおけるLDPC符号の適用(B-2.宇宙・航行エレクトロニクス,一般講演)
-
C-3-7 液晶偏光制御素子を用いた1.31μ帯4×4チャンネル平面型光スイッチ
-
強誘電性液晶を用いた反射型偏光制御素子の設計
-
二層型液晶偏光制御素子の検討
-
C-3-6 強誘電性液晶偏光制御素子を用いた4×4チャンネル空間形光スイッチ(光スイッチ(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
-
C-3-5 液晶装荷Si導波路を用いた対称MZI形光スイッチの位相可変部の短縮(光スイッチ(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
-
CS-11-2 液晶装荷Si導波路を用いた対称マッハ・ツェンダー干渉計型光スイッチのスイッチング動作(CS-11.光信号処理用デバイスの現状と展望,シンポジウム)
-
9-330 電気・電子工学分野における新しい教育体験型プログラムの導入 : 神奈川工科大学電気電子情報工学科のものつくり教育への挑戦((11)ものつくり教育-V,口頭発表論文)
-
計算機合成ホログラムを用いた光学素子の製作技術教育の試み (ITを活用した教育シンポジウム--セッション会場 講義室B101)
-
C-3-5 液晶装荷Si導波路計複合Fabry-Perot共振器のための平坦化材料によるSiO_2埋め込みの検討(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
-
液晶装荷Si導波路を用いた対称マッハ・ツェンダー干渉計型1×8ch光スイッチの製作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
-
液晶装荷Si導波路を用いた対称マッハ・ツェンダー干渉計型1×8ch光スイッチの製作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
-
液晶装荷Si導波路を用いた対称マッハ・ツェンダー干渉計型1×8ch光スイッチの製作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
-
液晶装荷Si導波路を用いた対称マッハ・ツェンダー干渉計型1×8ch光スイッチの製作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
-
光波長可変フィルタのための導波路形複合Fabry-Perot共振器の特性と製作プロセスの検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
-
C-3-56 TiO_2をコアに用いた強誘電性液晶装荷グレーティング導波路の検討(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
-
C-3-15 液晶装荷Si導波路による非対称マッハツェンダ干渉計形光スイッチのスイッチング動作の観測(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
-
C-3-78 液晶クラッド層を有するチャネル導波路の導波特性
-
C-3-127 強誘電性液晶をクラッド層に用いた TiO_2 チャネル導波路
-
C-3-70 液晶装荷Si導波路形Fabry-Perot共振器の共振波長シフト動作(C-3. 光エレクトロニクス(導波路デバイス2), エレクトロニクス1)
-
C-3-122 強誘電性液晶偏光制御素子を用いた広帯域光スイッチの小形化(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
-
C-3-26 液晶偏光制御素子を用いた 1.55μm 帯光スイッチの波長特性
-
C-3-33 液晶装荷Si導波路による非対称マッハツェンダ干渉計形光スイッチ(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
-
C-3-5 マッハ・ツェンダー干渉計形光変調器を用いた液晶装荷Si導波路の位相変化量の評価(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
-
強誘電性液晶を用いた斜め入射型偏光制御素子の一設計法
-
斜め入射液晶偏光制御素子の理論検討
-
反射型液晶偏光制御素子の設計と試作
-
P-19 目的指向によるものづくり体験教育型プログラムの導入と課題 : 神奈川工科大学電気電子情報工学科のものつくり教育への挑戦((11)ものつくり教育,ポスター発表)
-
C-3-45 強誘電性液晶装荷グレーティングSi導波路の波長シフト動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
-
円偏波4素子パッチアレイアンテナの試作
-
C-3-48 導波路型光スイッチのためのFLCクラッド材料の検討(C-3.光エレクトロニクス)
-
C-3-75 FLC装荷Si-AWGを用いた波長選択スイッチの特性解析(C-3.光エレクトロニクス)
-
C-3-42 導波路形偏波無依存等分岐結合器の検討(C-3.光エレクトロニクス)
-
C-3-49 導波路形光スイッチ低漏話化のためのSi導波路構成の検討(C-3.光エレクトロニクス)
-
C-3-44 狭阻止帯域幅可変波長フィルタのためのSi sampled grating導波路の検討(C-3.光エレクトロニクス)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク