SiC Bulk Single Crystal Growth by Sublimation Method : Use of Numerical Simulation
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
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Kato Tomohisa
Aist
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Yamaguchi Hirotaka
O Perc
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Hirose Fusao
Aist
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Arai Kazuo
Aist
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NISHIZAWA Shin-ichi
PERC
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KITOU Yasuo
PERC
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OYANAGI Naoki
Association for Future Electron Device, c
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Oyanagi Naoki
Association For Future Electron Device C