自己フィードバック機能付き星形薄膜FEA

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概要

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• 個々のエミッタに抵抗層を形成し、エミッション電流変動に対する抑制効果を持たせた自己フィードバック機能付き星形薄膜FEAを考案、試作し、その有効性を確認した。そして、電流変動に対して有効な素子抵抗値が50MΩ以上であることを見いだした。また、素子作製上重要構成要素の一つである絶縁層において、電子ビーム蒸着法で形成したSiO_2膜に関して検討を行い、膜形成時のSiO_2膜のリーク電流が印加電圧200Vで1nA以下であることがわかった。さらに、SiO_2膜のリーク電流特性のプロセス履歴依存性として、RIE処理およびリフトオフ処理の影響を検討した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-12-17

著者

• 木村 秀吉

  松下電工中央研究所

• 金子 彰

  松下技研(株)新素材研究所

• 金子 彰

  松下技研新素材研究所

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